兆馳半導(dǎo)體：深耕 Micro-LED ，破解檢測(cè)難題

    在追求卓越顯示效果的今天，一位超芯星正在嶄露頭角，它就是Micro-LED“一項(xiàng)具有改變游戲規(guī)則潛力的顯示技術(shù)”。不僅為追求極致視覺體驗(yàn)的消費(fèi)者帶來了新的希望，更為行業(yè)開辟了一鏈創(chuàng)新與高效能結(jié)合的道路。

    什么是Micro-LED？

    Micro-LED，又稱為 mLED 或μLED，一種通過薄膜化、微小化和陣列化處理的LED結(jié)構(gòu)，其尺寸大約在1-100μm之間，由微米級(jí)半導(dǎo)體發(fā)光單元陣列組成，是一種將電能轉(zhuǎn)化為光能的電致發(fā)光器件，可以通過巨量轉(zhuǎn)移批量地轉(zhuǎn)移到驅(qū)動(dòng)電路基板上，驅(qū)動(dòng)電路基板可以為硬性或柔性襯底。然后利用物理氣相沉積等方法在其上制備保護(hù)層和外接電極，最后進(jìn)行封裝。其中LED是由II-VI和III-V族化合物，如GaAs( 砷化鎵 )、GaP ( 磷化鎵 )、GaAsP( 磷砷化鎵 )、GaN( 氮化鎵 ) 等半導(dǎo)體制成的，其核心結(jié)構(gòu)是由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體材料形成的pn結(jié)組成的。

Micro-LED的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)是？

    Micro-LED技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于其卓越的性能表現(xiàn)，包括：

    01

    更高的亮度與對(duì)比度：Micro-LED自發(fā)光的特性，意味著您可以享受到更純粹的黑色和炫麗的亮度，讓色彩更加生動(dòng)。

    02

    更低的能耗：在為您帶來明亮畫質(zhì)的同時(shí)，Micro-LED的能效卓越，這對(duì)于延長移動(dòng)設(shè)備電池壽命至關(guān)重要。

    03

    超快響應(yīng)：想象一下，在觀看高速運(yùn)動(dòng)場(chǎng)景時(shí)無任何拖影的清晰度，這正是Micro-LED快速響應(yīng)能力所能提供的。

    Micro LED產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)瓶頸是？

    Micro LED 的工藝流程涵蓋了襯底制備、外延片與晶圓制備、像素組裝、缺陷監(jiān)測(cè)、全彩化、光提取與成型、像素驅(qū)動(dòng)等 7 個(gè)環(huán)節(jié)。具體來講，其產(chǎn)業(yè)鏈包含芯片制造、巨量轉(zhuǎn)移、面板制造、封裝/模組、應(yīng)用以及相關(guān)配套產(chǎn)業(yè)。其中，有關(guān)檢測(cè)修復(fù)的難題，無疑是各大參與者競(jìng)技的重要賽場(chǎng)之一。

    由于 Micro LED 的芯片尺寸和間距極其微小，傳統(tǒng)的測(cè)試設(shè)備難以適用。如何在數(shù)以百萬甚至千萬計(jì)的芯片中，對(duì)存在缺陷的晶粒進(jìn)行檢測(cè)、修復(fù)或者替換，這是一個(gè)極為艱巨的挑戰(zhàn)。當(dāng)下現(xiàn)有的解決方案包含光致發(fā)光測(cè)試和電致發(fā)光測(cè)試。光致發(fā)光測(cè)試主要借助光源來激發(fā)硅片或太陽電池片，通過對(duì)特定波長的發(fā)光信號(hào)進(jìn)行采集以及數(shù)據(jù)處理，從而辨別芯片的缺陷。電致發(fā)光測(cè)試則是指，在強(qiáng)大電場(chǎng)的作用下，芯片中的電子成為過熱電子后，依據(jù)其回到基態(tài)時(shí)所發(fā)出的光來檢測(cè)芯片的缺陷。

兆馳半導(dǎo)體如何解決Micro-LED檢測(cè)難題？

    7 月 16 日，兆馳半導(dǎo)體公布“Micro-LED 檢測(cè)設(shè)備”專利已進(jìn)入授權(quán)階段。該專利的詳情如下：

    本實(shí)用新型公開了一種 Micro-LED 檢測(cè)設(shè)備，其由下至上依次設(shè)置有紫外面光源、透明基板、光罩板、濾光片、CCD 檢測(cè)探頭。在透明基板上放置有待測(cè)的 Micro-LED 芯片，而光罩板上設(shè)有與待測(cè) Micro-LED 芯片所處位置相匹配的透光孔。

    本實(shí)用新型所提供的 Micro-LED 檢測(cè)設(shè)備能夠迅速篩查出異常芯片，并予以剔除。

    兆馳半導(dǎo)體專注于新型顯示領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)和前瞻性技術(shù)的開發(fā)與轉(zhuǎn)移，力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)“市場(chǎng)導(dǎo)向、技術(shù)突破、產(chǎn)線融合”的全鏈條協(xié)同創(chuàng)新。

    這一專利表明，兆馳半導(dǎo)體將 Micro-LED 顯示技術(shù)作為主攻方向已有很長時(shí)間。根據(jù)過往的專利布局顯示，其已經(jīng)構(gòu)建形成了涵蓋材料外延、芯片制造、轉(zhuǎn)移集成、可靠性評(píng)估等完備的 Micro-LED 智造創(chuàng)新鏈。結(jié)合自身在數(shù)字智能等新型制造方面的優(yōu)勢(shì)，能夠大幅度縮減研發(fā)周期、節(jié)省開發(fā)成本、提升良率和效率。

    下一步，兆馳半導(dǎo)體將在目前系列技術(shù)突破的基礎(chǔ)上，通過關(guān)鍵核心技術(shù)突破，繼續(xù)深耕并快速推動(dòng)Micro-LED產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化，實(shí)現(xiàn)高水平技術(shù)領(lǐng)先，為Micro-LED顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到重要引領(lǐng)與示范作用，助力我國在未來顯示領(lǐng)域保持持續(xù)領(lǐng)先！